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NTHD2102P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
8
?2.4 thru ?8 V
T J = 25 ° C
10
8
?2 V
6
6
4
?1.8 V
4
T j = 100 ° C
2
?1.6 V
?1.4 V
2
25 ° C
?55 ° C
0
0
1
2 3 4 5
6
0
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.30
?V DS , Drain?to?Source Voltage (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
1.2
?V GS , Gate?to?Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ?4.5 V
0.25
0.20
0.15
0.10
V GS = ?1.8 V
V GS = ?2.5 V
1.1
1.0
0.9
0.05
V GS = ?4.5 V
0
0.8
0
2
3
4
5
6
7
8
?50
?25
0 25 50 75 100
125
150
10000
?I D , Drain Current (A)
Figure 3. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1800
T J , Junction Temperature ( ° C)
Figure 4. On?Resistance Variation vs.
Temperature
T J = 25 ° C
1000
T J =
125 ° C
1500
1200
C iss
100
T j = 100 ° C
900
C rss
C iss
600
10
300
C oss
1
0
C rss
0
2 4 6
8
?8
?6
?4 ?2
0 2 4
6
8
?V DS , Drain?to?Source Voltage (V)
Figure 5. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
3
?V DS , Drain?to?Source Voltage (V)
Figure 6. Capacitance Variation
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